- China cria memória de computador que grava 25 bilhões de bits por segundo
- Dispositivo combina velocidade extrema e retenção sem energia
- Chip pode redefinir o hardware de IA e os eletrônicos de consumo
Pesquisadores da Universidade Fudan, na China, criaram uma memória de computador que atinge uma velocidade inédita: 25 bilhões de bits por segundo. O novo dispositivo, batizado de PoX, supera em 10 mil vezes a velocidade da memória flash tradicional, estabelecendo um novo padrão para a indústria global de semicondutores.
A inovação foi detalhada em artigo publicado na revista Nature nesta quinta-feira (24). De acordo com o estudo, os cientistas conseguiram programar um único bit em apenas 400 picossegundos, tempo que antes era possível apenas em memórias voláteis como DRAM. No entanto, ao contrário delas, a PoX retém os dados mesmo sem energia, combinando o melhor dos dois mundos.
Grafeno no lugar do silício na memória do computador
A equipe liderada pelo professor Zhou Peng utilizou grafeno Dirac bidimensional para substituir os canais de silício, o que permitiu alcançar uma injeção de carga quase ilimitada. Dessa forma, esse novo caminho físico elimina o gargalo clássico das memórias flash, que antes levavam microssegundos para gravar uma informação.
“Levamos a memória não volátil ao seu limite teórico com ajuda da IA”, explicou Zhou à agência Xinhua. Ele destacou que o PoX pode impulsionar futuras gerações de hardware para inteligência artificial, onde a velocidade de acesso à memória se tornou mais crítica do que o próprio processamento lógico.
O coautor do estudo, Liu Chunsen, comparou o avanço à transformação de um pendrive que grava mil vezes por segundo para um chip que faz isso um bilhão de vezes em um piscar de olhos. Assim, o PoX, por ser não volátil, também consome pouca energia, algo essencial para dispositivos móveis e sistemas com bateria limitada.
Aplicações industriais e impacto geopolítico
Especialistas avaliam que o novo chip pode eliminar a necessidade de memórias SRAM separadas nos processadores de IA. Isso reduziria o consumo de energia e o espaço físico nos chips, abrindo caminho para celulares mais leves, laptops que ligam instantaneamente e bancos de dados que mantêm tudo em RAM persistente.
Além disso, o avanço fortalece a estratégia da China em liderar o setor de semicondutores, algo considerado estratégico para o futuro da tecnologia global. “Nosso avanço pode remodelar a tecnologia de armazenamento e abrir novos cenários de aplicação”, afirmou Zhou.
Os engenheiros de Fudan já estão testando a arquitetura em larga escala, buscando demonstrar sua viabilidade comercial. As fundições chinesas começaram a correr para integrar o grafeno em suas linhas de produção. Se o projeto avançar como esperado, o PoX pode se tornar a próxima grande revolução do armazenamento de dados.
